LAON TMD Co., Ltd.

SiC CVD

碳化硅化学气相沉积工艺| 碳化硅环| 碳化硅环制造| LAON 系统及设备

SiC CVD工艺介绍

SiC CVD（碳化硅化学气相沉积）——一种工艺，其中液态 SiC 源 MTS（CH3SiCl3）与氢气一起汽化，并沉积在环状石墨基底上，从而生成 SiC 环。

SiC环是做什么用的？

由于存储半导体堆叠和小型化技术的应用，干法刻蚀时间增加，内部腔室元件的寿命缩短。寿命最短的元件是环形元件，例如聚焦环和导向环。

由于以下原因，大部分生产已从硅环和石英环转向碳化硅环：
– NAND 堆叠层数增加。对 SSD 容量提升的需求推动了目前 3D NAND 的堆叠层数达到 200-300 层。预计未来几年内，这一数字将增加到 500-600 层。堆叠层数的增加需要蚀刻的绝缘层（SiN/SiO2）也随之增加。– DRAM
电容纵横比增大。由于 DRAM 线宽的缩小，电容宽度也在减小。为了保持容量，电容高度必须增加。在 10nm 以下的工艺中，电容纵横比可超过 100。
纵横比的增大增加了需要蚀刻的接触深度。

硅环的问题：
尽管硅环仍在应用，但其较差的抗等离子体性能导致使用寿命较短，尤其是在高功率射频环境下。
随着半导体工艺小型化和复杂性的不断提高，硅环的使用寿命已接近极限。因此，采用寿命更长的新型材料——碳化硅环势在必行。在寿命方面，碳化硅的抗等离子体性能是硅的1.5倍。

碳化硅环特性：
– 0% 孔隙率，晶粒尺寸均匀
– 超高纯度碳化硅，品质卓越
– 延长粉末冶金周期：提高良率并降低成本

SiC环应用领域：

1. 半导体行业：薄膜工艺、蚀刻工艺
2. 工艺设备的工艺组件：聚焦环、导向环、喷淋头
3. 聚焦环或边缘环对均匀性和轮廓起着重要作用。
4. 采用等离子蚀刻法对常规范围进行蚀刻会导致晶圆数量减少
5. 需要定期更换易耗部件

蚀刻设备内部结构

1. 导向环：等离子导向装置和淋浴喷头的固定装置
2. 喷淋头：使工艺气体均匀覆盖晶片表面
3. 聚焦环：用于将等离子体聚焦到精确的位置。
4. ESC键：

SiC环制造工艺

LAON TMD 改进了 CVD 设备和工艺设计，实现了高效的 SiC 涂层。您可以在下方页面了解更多关于 LAON SiC CVD 系统特性的信息。