▮ ETCHER 系统核心硬件开发 ▮
▮ etcher 要点
- 等离子体源
- CCP, ICP, RIE, Microwave
- 过程: Poly, Oxide, Metal
- 上部组件
- Gas Shower Head Type, 基于射频源
- Gas Top Feeding or Side Feeding
- Gas Nozzle 类型和概念
- 材料与设计理念, 基于射频源
- 阴极组件
- ESC Type (Unipolar, Bipolar Type)
- ESC Heater Zone & T.C & Cooling
- ESC Surface Type
- Back Side He Flow Route
- 射频偏置阴极组件设计
- 阴极组件传热效率设计
- 射频
- 射频源的频率和功率
- 射频偏置频率和功率
- 射频外围设备概念（谐波和射频滤波器）
- 射频功率机械设计
- 工艺套件和泵送传导
- Process Kits & Liner Kits & Coating 材料
- EPD & Baffle & Pumping Port 概念设计
- 腔室设计（加热和冷却）
▮ LAON ETCHER 设备
Dicing Plasma PM
| 来源 | CCP |
| 晶圆尺寸 | 12” |
| 射频 | Top & Bottom |
| 处理室 | Bottom Side Pumping 概念 2~4 CHAMBER |
| 工艺气体 | Dual Zone Gas Feed |
| ESC | Bipolar & Dual Backside He 控制 |
ETCH Plasma PM
| 来源 | ICP, CCP |
| 晶圆尺寸 | 12” |
| 射频 | Top & Bottom |
| 处理室 | Center Pumping 概念 2~4 CHAMBER |
| 工艺气体 | Dual Zone Gas Feed |
| ESC | Unipolar & Dual Backside He 控制 |
Pe_Cleaning Plasma PM
| 来源 | RIE |
| 晶圆尺寸 | 晶圆，玻璃 |
| 射频 | 13.56MHz |
| 处理室 | Bottom Pumping 概念 |
| 工艺气体 | Single Top Feed |
| ESC | 没有任何 |
Electrostatic Discharge Plasma Module
| 来源 | ICP |
| 晶圆尺寸 | 晶圆，玻璃 |
| 射频 | 13.56MHz |
| 处理室 | Side Pumping 概念 |
| 工艺气体 | Single Side Feed |
| ESC | 没有任何 |